存储芯片步入"硅基通胀"：DRAM 合约价四季度环比涨 10%–15%
2026 年 10 月 19 日，据《中国经济时报》报道，全球存储芯片正经历一轮罕见的全品类涨价周期，服务器级 DDR5 DRAM 的单位价格（克价）已被推高至国际现货黄金的 1.84 倍。业内将这一现象称为"硅基通胀"，并普遍预计涨价行情将延续至明年上半年。
涨价幅度：从 DRAM 到 SSD 全线走高
据市场研究机构 TrendForce 集邦咨询的数据，2026 年第四季度存储合约价预计全面上行：
- 普通 DRAM：合约价环比上涨 10%–15%；
- 计入 HBM 后的整体 DRAM：合约价环比上涨 15%–20%；
- NAND 闪存：合约价同步上行 15%–20%；
- 企业级 SSD：单项涨幅更高，达 23%–28%。
现货市场同样火热。巴克莱最新报告显示，10 月 DDR5 内存现货价格环比上涨约 8%，三个月累计涨幅约 20%。
AI 算力需求是核心推手
本轮价格暴涨的根源在于 AI 数据中心对高带宽内存（HBM）与服务器 DRAM 的旺盛需求，挤占了通用产能。与此同时，供应链正紧急备货、调整配置，并加大力度启用和适配国产存储芯片以保障供货。
业绩端已经反映
涨价效应正在传导至企业财报。海光信息于 10 月 19 日晚发布三季报，公司前 9 个月实现营业收入 149.55 亿元，同比增长 57.58%；归母净利润 28.47 亿元，同比增长 45.12%。公司表示，业绩增长主要受益于 AI 产业快速发展，以及国产化进程由政策驱动全面转向市场驱动。
来源：《中国经济时报》《存储芯片进入硅基通胀时代，涨价周期走到哪一步？》（2026 年 10 月 19 日）
来源：新浪财经《半导体三季报业绩大面积预增 PCB 与存储芯片"你追我赶"》（2026 年 10 月 19 日）
结论与影响
存储价格的持续上行，短期会推高整机、服务器与消费电子产品的成本，终端涨价压力或将在下一季度显现。中长期看，这一轮"存储超级周期"既考验下游厂商的供应链议价与库存管理能力，也为国产存储芯片提供了加速导入、扩大份额的窗口期。