台积电A16完成芯片背面供电验证：2nm级工艺重大突破
台积电A16完成芯片背面供电验证：2nm级工艺重大突破背面供电技术取得关键进展台积电（TSMC） 于2026年8月20日宣布成功完成 A16先进制程 背面供电技术的研发与验证。这是台积电在半导体制造领域的又一重大突破，标志着芯片背面供电架构从实验室走向量产迈出了关键一步。什么是背面供电？传统芯片制造中，供电线路和信号互连线路都位于芯片正面的金属层中，随着制程不断微缩，两者争夺布线空间的问题日益严重，导致线路拥塞和电压下降（IR Drop）等问题。背面供电技术 将供电路径移至芯片背面，将供电网络与信号传输网络物理分离，从根本上解决了这一矛盾。台积电的A16是业界首个采用超级供电轨背面供电架构的埃米级CMOS平台，代表了半导体制造工艺的前沿水平。性能提升显著根据台积电公布的数据，A16制程相比目前的 N2P制程 在性能方面有显著提升：同等功耗下，运算速度提升 8%至10%同速度下，功耗降低 15%至20%芯片密度 提升 8%至10%这些提升得益于背面供电架构带来的布线优化和供电效率提升，使芯片设计人员能够在更小的面积内实现更高的性能。量产计划与客户台积电表示，A16工艺预计将于 2026年第四季度 启动量产。据悉，该工艺有望率先应用于 英伟达（NVIDIA） 等客户的下一代AI芯片产品中。行业影响台积电A16的突破对整个半导体行业具有深远影响：技术路线：背面供电架构将成为3nm以下先进制程的标配技术竞争格局：台积电在2nm级工艺上继续保持领先地位应用前景：AI芯片、高性能计算芯片将率先受益与此同时，英特尔也在积极推进其背面供电技术（PowerVia），预计将在其20A和18A工艺中采用。两大半导体巨头的技术竞争将推动整个行业加速创新。小结： 台积电完成A16背面供电技术验证，这是业界首个采用超级供电轨背面供电架构的埃米级平台。相比N2P制程，同等功耗下速度提升8-10%，同速度下功耗降低15-20%，密度提升8-10%。预计2026年Q4量产，英伟达等客户有望率先采用。本文内容基于公开网络资讯整理