9 月 20 日，2026 世界制造业大会在合肥开幕，长鑫科技集团正式宣布第五代 DRAM 技术平台（G5 平台）实现量产，并同步展出基于该平台打造的大容量 LPDDR5X 新品。官方披露，G5 平台依托四重曝光技术将内存阵列有源区半间距微缩至 11.95 纳米，存储电容深宽比达 45:1，单片晶圆可产出裸片数量较上一代平台提升至少 50%，工艺水平比肩行业顶尖量产节点。
关键工艺数字：从 11.95 纳米半间距到 45:1 深宽比
长鑫科技在大会现场披露了 G5 平台的核心工艺参数，几项数据直接对应存储芯片的"微缩功力"：
- 四重曝光（Quadruple Patterning）：将内存阵列有源区半间距微缩至 11.95 纳米，接近全球最顶尖内存工艺节点；
- 存储电容深宽比 45:1：电容越深、宽高比越大，单位面积存储密度越高，对刻蚀与沉积工艺的要求也越苛刻；
- 核心功能区高度缩小至约 6762 纳米：进一步压缩器件垂直尺寸；
- 单片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少 50%：同等晶圆面积下产出显著增长，直接摊薄单位成本。
"G5 平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破。依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至 11.95 纳米，接近全球最顶尖的内存工艺节点。"——新华网客户端报道（2026-09-20）
量产背后的产业信号
长鑫科技此次公告同时说明，G5 平台量产产品"尚未形成规模销售"，即产能爬坡与客户导入仍在进行中。从产业角度看，这则消息的分量在于"量产"二字——国产 DRAM 在工艺代际上再进一步，向全球头部存储厂商的先进节点靠拢，也为供应链提供了更多国产化选项。
市场空间同样可观：Omdia 数据显示，全球 DRAM 市场规模有望从 2025 年的约 1505 亿美元增长至 2030 年的约 7638 亿美元。在 AI 服务器、高端手机对高带宽存储需求持续攀升的背景下，新一代平台与大容量 LPDDR5X 的落地节奏，将直接决定长鑫在增长周期中的卡位。
结语
从四重曝光到 45:1 深宽比，G5 平台交出的工艺成绩单，把国产 DRAM 的"微缩竞赛"推到了新的刻度。量产只是起点——良率爬坡、客户认证与规模出货才是接下来的硬仗，但至少，中国存储产业已经站在了这条起跑线前。
资料来源：长鑫科技公告；新华网客户端、证券日报、证券时报（2026-09-20）