ASML High-NA EUV光刻机迈入大规模量产：英特尔18A工艺率先导入，全球累计曝光晶圆突破135万片

里程碑时刻：High-NA EUV进入大规模量产

2026年9月1日，在台北国际半导体展（SEMICON Taiwan 2026）先进制程科技论坛上，荷兰光刻设备巨头ASML高级副总裁Greet Storms发表主题演讲，宣布High-NA EUV（高数值孔径极紫外光刻）技术正式从研发验证阶段迈入大规模量产阶段。

截至2026年7月中旬，全球High-NA EUV系统累计曝光晶圆数已突破135万片，涵盖客户验证、制程开发及量产学习所积累的曝光量，标志着这一先进光刻技术的成熟度已达到量产标准。

英特尔18A工艺率先商用

High-NA EUV首次实际应用于大规模量产逻辑产品的里程碑由英特尔达成。ASML在2026年7月15日确认，英特尔代工部门已在Intel 18A工艺节点上，利用High-NA EUV技术量产部分代号Panther Lake的Core Ultra Series 3处理器。英特尔位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的18A生产线已完成High-NA EUV双重认证，产品良率达到现有NXE平台同等水平。

这意味着你从英特尔购买的部分产品，现在就是使用High-NA EUV设备制造的。ASML首席执行官Christophe Fouquet在财报电话会上表示："这当然是一个非常重要的里程碑，证明了设备的成熟度。"

全球装机进展：10台设备已投入运营

目前全球已有4家客户完成装机，共计10台High-NA EUV投入运作并符合完整规格，另有3台系统正在出货及装机中。据行业分析，这4家客户分布于韩国、美国、欧洲及中国台湾地区，涵盖英特尔、三星、SK海力士与台积电等主要晶圆制造商。

在产能方面，获得认证的EXE:5200B系统已在验收测试中达到每小时135片晶圆的吞吐量，较上一代EXE:5000的每小时100片提升35%。

设备可用率稳步提升

截至2026年7月，全球High-NA EUV机队可用率已提升至84%，ASML预期2026年第四季度达到90%，中长期目标为93%。后续改善工作将聚焦降低计划性停机时间、处理超长时间停机事件。

High-NA EUV的成像与套刻精度同样达到量产标准：14纳米接触孔的晶圆内关键尺寸均匀度达0.4纳米，对焦均匀度为4.3纳米；双掩模版测试下的设备间套刻精度约为0.6纳米及0.5纳米。

三阶段导入路径与生产力路线图

ASML提出High-NA EUV的三阶段导入路径：

• 第一阶段：将部分既有0.33数值孔径EUV制程层转移至0.55数值孔径，分担现有产能需求
• 第二阶段：下一代节点中，将原本需要0.33数值孔径多重曝光的制程层转由0.55数值孔径进行单图案化
• 第三阶段：针对0.55数值孔径成像能力重新设计芯片结构，提高芯片密度、简化互连结构

生产力升级路线图方面，EXE:5200C预计提高至每小时160片、EXE:5200D提高至175片，EXE:5400E在本十年末达到每小时180片，更高端的EXE:5600目标为每小时250片以上。

小结

ASML High-NA EUV光刻机正式迈入大规模量产时代，以英特尔18A工艺率先商用为标志。全球已有10台设备投入运营，累计曝光晶圆突破135万片。这一技术突破将为未来十年的半导体先进制程持续微缩奠定设备基础，对全球芯片制造业产生深远影响。

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